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微细加工发生在高度受控的条件下：所有用于洁净室建设、加工设备和晶圆处理工具的材料都经过精心挑选，以最大限度地减少颗粒、分子或离子污染。净化水、气体和化学物质中的污染物并过滤掉颗粒。然而，这些都是被动的预防措施，在几乎每个主要工艺步骤之前都必须进行主动晶圆清洁。晶圆清洗步骤最多可占所有工艺步骤的30%。
晶圆清洗是关于污染控制，但也是关于让表面处于已知和受控的状态。这意味着去除损伤、表面终止（疏水性/亲水性控制）和防止不必要的吸附。因此，很多人更喜欢称这种活动为表面准备。
污染的主要来源是制造过程本身。高级洁净室的空气洁净度非常好，空气中的颗粒不再是主要的污染源，但需要特别注意空气中的气态污染物。
污染形式
污染有多种形式，其来源、对设备的影响和清洁方法各不相同。主要的污染类别是:粒子、金属、有机物、挥发性无机污染物、原生氧化物、微粗糙度。
粒度监控正成为高级集成电路中的一个问题；在130 nm工艺中，监测大于65 nm的颗粒。几十年前，可以检测到最小线宽1/10 大小的粒子（具有合理的吞吐量），而最近，最小线宽三分之一的粒子检测成为常态。随着缩放的继续，监测到的粒径可能与最小线宽相同。
只要机器零件由金属制成，就无法避免金属污染；因此，必须通过清洁来控制金属污染。表面上的金属污染物会扩散到硅块中，块中溶解的金属和金属沉淀物充当电荷载流子的复合中心。硅/氧化物界面或器件关键区域的沉淀物是有害的，因为它们通过对晶体缺陷的影响来影响扩散分布。如果金属在氧化过程中分离到氧化物中，它们会阻止、延缓或降低氧化膜的生长，并导致质量低劣的氧化物。
湿洗
酸、碱和溶剂湿法清洗是主要的清洗方法。湿法清洗简单、产量高并且可以同时清洁晶圆的正面和背面（见图1）。湿凳是可靠的工具，但化学品消耗量可能很高。有两种主要方法：要么在更换化学品之前使用相当浓缩的化学品清洗许多批次，要么使用稀释的化学品并在每批次之后更换它们。
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